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    四（甲乙胺）鉿

      

      
    

      
    
      
    關(guān)鍵詞：

      
    
      

      

      
    
      
    關(guān)鍵詞：

      
    
      
    MO源領(lǐng)域、電子級碘甲烷和氫碘酸領(lǐng)域、高科技合成酸領(lǐng)域、多元醇酯類冷凍機(jī)油領(lǐng)域

      

      
    
      
    所屬分類：

      
    

      
    
      
    
    


      
    
      
    產(chǎn)品咨詢：

      
    

      

      

      

      
    
      
    
      
    
      
    產(chǎn)品描述

      

      

      
    

      
    
      
	
		
      
			
			
      中文名
      
			      		
			
			
      化學(xué)式
      
			      		
			
			
      CAS號
      
			      		
			
			
      英文簡稱
      
			      		
			
			
      英文名
      
			      		
			
			
      類別
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      四（甲乙胺）鉿
      
			      		
			
			
      C12H32HfN4
      
			      		
			
			
      352535-01-4
      
			      		
			
			
      TEMAH
      
			      		
			
			
      Ethanamine, N-methyl-,hafnium(4+) salt (4:1)
      
			      		
			
			
      前驅(qū)體
      
			      		
		
      
	      

      


       
      


        
      


      
	
		
      
			
			
      四（甲乙胺）鉿 （TEMAH）
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      化學(xué)式
      
			      		
			
			
      C12H32HfN4
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      中文名稱
      
			      		
			
			
      四（甲乙胺）鉿 
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      英文名稱
      
			      		
			
			
      Ethanamine, N-methyl-,hafnium(4+) salt (4:1)
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      CAS No.
      
			      		
			
			
       352535-01-4
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      分子量
      
			      		
			
			
      410.9
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      應(yīng)用
      
			      		
			
			
      主要用于CVD和ALD的前驅(qū)體材料，用于沉積鉿的前驅(qū)物，制備鉿氧化物薄膜；可以用于COMS和下一代DRAM的高k絕緣材料，廣泛應(yīng)用于45nm下直至7nm技術(shù)等先進(jìn)CMOS集成電路技術(shù)中。其應(yīng)用于新型阻變/憶阻器件(RRAM)研究中，可展現(xiàn)良好的微縮特性，還可在10nm尺度下保持良好的阻變特性；在鐵電存儲器件(FeRAM)、鐵電場效應(yīng)晶體管(FeFET)、鐵電負(fù)電容晶體管(NC-FET)、鐵電隧道結(jié)等新功能器件制造方面表現(xiàn)出良好的微縮特性，為類腦型神經(jīng)形態(tài)計算等變革性技術(shù)研究與發(fā)展提供新的途徑。還可替代二氧化硅，作為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的柵極。
      
			      		
		
      
		
      
			
			
      產(chǎn)品規(guī)格
      
			      		
			
			
      6N（99.9999%）
      
			      		
		
      
	      

      


      

      
 
      

      
    
      
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